GB01SLT06-214
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | GB01SLT06-214 |
---|---|
Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.63 |
10+ | $1.415 |
25+ | $1.338 |
100+ | $1.228 |
250+ | $1.161 |
500+ | $1.112 |
1000+ | $1.101 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 650 V |
Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | SiC Schottky MPS™ |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 6.5 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
Grundproduktnummer | GB01SLT06 |
GB01SLT06-214 Einzelheiten PDF [English] | GB01SLT06-214 PDF - EN.pdf |
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
CAP CER
DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
CAP CER 100PF 50V X7S SMD
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() GB01SLT06-214GeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|